Samsung entwickelt erste 64GBit NAND Flash Bausteine

Neue Samsung Speicher-Chips sollen 128GB Speicherkarten möglich machen

Samsung verkündet die Entwicklung der weltweit ersten 64 Gigabit "Multi Level Cell" (MLC) NAND Flash Speicher-Chip, welche in 30 Nanometer Technologie gefertigt werden. Bei der Maximal-Kombination von 16 Flash Bausteinen dieser Art, kann Samsung mit dieser Technologie Speicherkarten mit einer Kapazität von bis zu 128GB fertigen. Eine solche Speicherkarte würde rund 27 single Layer DVDs mit je 4,7GB Kapazität oder etwa 32.000 MP3 Musik Dateien zu je 4MB speichern können.

Seit der Entwicklung der NAND Technologie im Jahr 2001 hat sich, bezogen auf den Serienstart der neuen Technologie im Jahr 2009, die Speicherdichte sage und schreibe acht Jahre in Folge jeweils verdoppelt. Im Vorstellungsjahr 2001 beruhte die 1 Gigabit NAND Technologie noch auf 100nm Strukturen.

Der Fortschritt im 30nm Design basiert auf einem neuen Fertigungsprozess, der "Self-Aligned Double Patterning Technology" kurz SaDPT genannt wird. Die neue Technologie kann mit den aktuellen Fertigungstrassen genutzt werden, ohne dass zusätzliche Investitionskosten anfallen. Auch konnte laut Samsung der Fertigungsprozess signifikant beschleunigt werden, was nicht zuletzt die Kosteneffizienz der neuen Technologie weiter steigern soll. Insgesamt hat Samsung mit dem neuen 64 Gigabit Speicher-Bausteinen 30 Patente erarbeitet. 2009 ist der kommerzielle Start der 30nm 64 Gigabit MLC NAND Flash Cips geplant.

Weiterhin hat Samsung 32 Gigabit "Single Level Cell" (SLC) NAND Flash Bausteine entwickelt, die auf die gleiche Technologie basieren sollen und damit ebenfalls entsprechend schnell und günstig hergestellt werden können. Mit den neuen Fortschritten in der Hinterhand will Samsung natürlich auch die "Solid State Drives" (SSD), also die auf Flash-Speicher basierenden Festplatten, technologisch vorantreiben. Diese werden ihren Einsatz voraussichtlich zunächst in Notebooks, in digitalen Videokameras und im Serverbereich finden. (dis)

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